ソニー、フルHDで最大1000fpsのハイフレームレート撮影を可能にするスマホ向けCMOSセンサーを開発


 

ソニーは1GbitのDRAMを搭載した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーの開発を発表した。従来の裏面照射型画素部分と信号処理回路部分との2層構造の積層型CMOSイメージセンサーに、さらにDRAMを積層したもので、これによってセンサー読み出し速度がを高速化し、動きの速い被写体の撮影時にも、フォーカルプレーンシャッター歪みを抑えた静止画やフルHDで毎秒最大1,000フレームのスーパースローモーション動画の撮影が可能になった。通常速度の撮影データと、DRAMに蓄積した毎秒最大1000フレームの高速撮影データを新開発のCMOSセンサーから出力し、外付けのISP(画像処理回路)で信号処理することで上のサンプル動画のように通常速度の動画とスーパースローモーション動画をシームレスに繋いだ動画ショットをスマートフォンで撮影できるという。

▲左が従来型のCMOSセンサー。右がDRAMを搭載した新開発のCMOSセンサー。

 

 

▲動きの素早い被写体を撮影したフォーカルプレーンシャッター歪みの比較例(右が新開発CMOS)。

 

 

●ニュースリリース

http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201702/17-013/index.html