ITGマーケティング、サムスンの「Samsung 990 EVO」を発売〜前モデルより最大43%高速化


ITGマーケティング株式会社は、M.2(2280)フォームファクタのNVMe SSD『Samsung SSD 990 EVO』を1月31日より発売する。ラインナップは、1TBと2TBの2種類。価格はオープンで、市場想定価格は以下のとおり(ともに税込)。

・『990 EVO』(1TB) :15,480円
・『990 EVO』 (2TB):25,980円

『Samsung SSD 990 EVO』は、PCIe 4.0 x4およびPCIe 5.0 x2に対応。転送速度はシーケンシャルリードが最大5,000MB/s、シーケンシャルライトが最大4,200MB/sに強化。

ランダムリードは、1TBが最大680,000IOPS、2TBが最大700,000IOPS。ランダムライトは、1TBと2TBともに最大800,000IOPS。「970 EVO Plus」の2TBモデルより最大43%高速になった。

また、前モデルに比べて電力効率が70%改善。モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができる。

ヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポート。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持。最新の PCIe 4.0 x4 および PCIe 5.0 x2 インターフェースをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供するとしている。

 

製品仕様

製品 Samsung SSD 990 EVO
型番 MZ-V9E1T0B-IT
MZ-V9E1T0B-IT/EC
MZ-V9E2T0B-IT
MZ-V9E2T0B-IT/EC
容量(*1) 1TB (1,000GB) 2TB (2,000GB)
インターフェース
(転送速度・規格値)
PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2、NVMe 2.0 (
フォームファクタ M.2 (2280)
外形寸法(L×W×H) ※最大値 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
搭載デバイス NANDフラッシュ Samsung V-NAND TLC
コントローラ Samsung自社製コントローラ
キャッシュメモリ HMB (Host Memory Buffer)
パフォーマンス
(*3)(*4)※最大値
シーケンシャル 読み出し 5,000 MB/s
書き込み 4,200 MB/s
ランダム
(QD1 Thread1)
読み出し 20,000 IOPS
書き込み 90,000 IOPS
ランダム
(QD32 Thread16)
読み出し 680,000 IOPS 700,000 IOPS
書き込み 800,000 IOPS
消費電力(*5) 動作時
(平均)
読み出し 4.9 W 5.5 W
書き込み 4.5 W 4.7 W
待機時 60 mW
L1.2モード時 5 mW
使用環境 温度範囲 動作時:0℃~70℃ 非動作時:-40℃~85℃
湿度範囲 5%~95%(結露なきこと)
耐久性 耐衝撃性 非動作時:1,500G、0.5ms期間、3軸
耐振動性 非動作時:20~2,000Hz、20G
MTBF
(平均故障間隔)
150万時間
各種機能 TRIMサポート ○ ※OSが対応している場合
ガベージコレクション
S.M.A.R.T
(自己診断機能)
セキュリティ AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0、
Encrypted Drive (IEEE1667)

 

◉製品情報
https://www.itgm.co.jp/product/ssd-990-evo.php

ITGマーケティング株式会社
https://www.itgm.co.jp

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